| 价 格: | 1.30 | |
| 品牌: | STI美国半导体技术 | |
| 型号: | W15NB50,15N50 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | UNI/一般用途 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | ,(V) | |
| 夹断电压: | ,(V) | |
| 跨导: | ,(μS) | |
| 极间电容: | ,(pF) | |
| 低频噪声系数: | ,(dB) | |
| 漏极电流: | ,(mA) | |
| 耗散功率: | ,(mW) |
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