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场效应管H8NA80FI

价 格: 2.00
漏极电流:1
材料:ALGaAS铝镓砷
种类:结型(JFET)
型号/规格:H8NA80FI
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:ST/意法
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
低频噪声系数:1
极间电容:1

dzsc/18/8662/18866256.jpg场效应管H8NA80FI

结型场效应管 方泽雄
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
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