IR 原装功率MOS——IRF630NS
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF630NS | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 跨导： | 4900（μS） | |
| 极间电容： | 575（pF） | |
| 漏极电流： | 9300（mA） | |
| 耗散功率： | 82000（mW） |
•导通电阻：RDS(on) max=0.3Ω
•工作温度范围：-55 ~ 175°C
•封装形式：TO-263
•VDS=200V
•ID=9.3A
•Trr=176ns
结型场效应管 上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：上海
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