| 价 格: | 2.00 | |
| 品牌: | IR/仙童/INFINEON | |
| 型号: | 4N90 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 900(V) | |
| 夹断电压: | 900(V) | |
| 跨导: | 24(μS) | |
| 极间电容: | 500(pF) | |
| 低频噪声系数: | 24(dB) | |
| 漏极电流: | 500(mA) | |
| 耗散功率: | 600(mW) |
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