仙童IGBT进口原装场效应管 FGH60N60 FGH60N60SMD特价
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FGH60N60 FGH60N60SMD | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | MES金属半导体 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
仙童IGBT进口原装场效应管 FGH60N60 FGH60N60SMD
仙童IGBT进口原装场效应管 FGH60N60 FGH60N60SMD
FGH60N60 FGH60N60SMD产品规格 参数
数据列表 FGH60N60SMD
标准包装 150
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 场截止
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 2.5V @ 15V, 60A
电流 - 集电极 (Ic)（） 120A
功率 - 600W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
FGH60N60 FGH60N60SMD 300/盒，30/管
- 所属城市：广东 深圳
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仙童MOS场效应管 4N80 FQP4N80 原装/散新/拆机场效应管
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 3.6 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 3.8 S 汲极/源极击穿电压: 800 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 3.9 A 功率耗散: 130 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQP4N80_NL "
仙童N沟道MOS型场效应管 12N60 质量保证
信息内容：dzsc/18/8660/18866076.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.65 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 13 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 12 A 功率耗散: 51 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQPF12N60C_NL 供应仙童系列，品质保证！保证原装，符合ROHS环保要求。MOSFET:场效应管FSC FQP50N06 FQP70N08 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 FQP33N1FQP55N10 FQP90N10V2 FQP46N15 FQP34N20 FQP34N20 FQP13N50 FQP18N50V2 FQP5N60CFQP6N80C FQP7N80 FQP4N90 FQP4N90C FQP5N90 FQP6N90C FQA160N08 FQA70N10 FQA140N10 FQA70N15 FQA90N15 FQA34N20 FQA48N20 FQA65N20 FQA17N40FQA35N40 FQA62N25C FQA17N40 FQA35N40 FQA16N50 FQA24N50 FQA10N80FQA13N80 FQA7N90 FQA9N90 FQA11N90C FQL40N50 SSH70N10A FQP9N90CFQA90N08 FQA55N25 FQA62N25C FQA28N50 FQA24N60 F...
