价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2sk3878 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
件型号 | 2SK3878 | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 900 V | |
漏电流ID | 9 A | |
漏功耗PD | 150 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 60 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 1.3 Ω | |
封装 | TO-3P(N) | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) | |
装配基础 | 日本, 泰国 |
场效应管2sk3878东芝原装