MOS管 三极管 场效应 IRG4PH50S IRG4PH50SPBF IRG4PH50
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRG4PH50S | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRG4PH50SPbF
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor TO-247AC
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 1200V
Vge, Ic时的Vce（开） 1.7V @ 15V, 33A
电流 - 集电极 (Ic)（） 57A
功率 - 200W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC)
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应 IRG4PC40KD IRG4PC40 IRG4PC40K
信息内容：数据列表 IRG4PC30KPbF 产品相片 TO-247-3 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2.7V @ 15V, 16A 电流 - 集电极 (Ic)（） 28A 功率 - 100W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC) 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 其它名称 *IRG4PC30KPBF
MOS管 三极管 场效应IRFP450Z（94-4057） IRFP450 IRFP450PBF
信息内容：数据列表 IRFP450 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 400 毫欧 @ 8.4A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2600pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件"
