现货供应仙童场效应管FDD306P
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FDD306P | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 原厂规格（V） | |
| 夹断电压： | 原厂规格（V） | |
| 低频跨导： | 原厂规格（μS） | |
| 极间电容： | 原厂规格（pF） | |
| 低频噪声系数： | 原厂规格（dB） | |
| 漏极电流： | 原厂规格（mA） | |
| 耗散功率： | 原厂规格（mW） |
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
Product Type: MOSFET Power
配置: Single
晶体管极性: P-Channel
封装 / 箱体: TO-252
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.028 Ohm @ 4.5 V
汲极/源极击穿电压: - 12 V
闸/源击穿电压: + /- 8 V
漏极连续电流: 6.7 A
功率耗散: 52 W
工作温度: + 175 C
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
Part # Aliases: FDD306PNL
- 所属城市：广东 深圳
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IR场效应管 IRF5305 IRF5305STRPBF 电源/开关电源应用
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