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INFINEON进口原装MOS场效应管 SPP80N08S2L-07 2N08L07

价 格: 面议
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格:SPP80N08S2L-07 2N08L07
材料:GaAS-FET砷化镓
用途:MW/微波
品牌/商标:INFINEON/英飞凌
沟道类型:N沟道
种类:结型(JFET)
导电方式:耗尽型

INFINEON英飞凌进口原装MOS场效应管 SPP80N08S2L-07 2N08L07

 

INFINEON英飞凌进口原装MOS场效应管 SPP80N08S2L-07 2N08L07

 

SPP80N08S2L-07 2N08L07产品规格  参数

 

数据列表 SP(P,B)80N08S2L-07
 
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 逻辑电平门
 
漏极至源极电压(Vdss) 75V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 7.1 毫欧 @ 67A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 2V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 233nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  6820pF @ 25V
 
功率 - 300W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 P-TO220-3
 
包装 管件
 
其它名称 SP000012476
 

"

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈义伟
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信息内容:

产品图片dzsc/18/8645/18864533.jpgdzsc/18/8645/18864533.jpgdzsc/18/8645/18864533.jpg 产品特点 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.225 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 6.4 S 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: 30 V 漏极连续电流: 20 A 功率耗散: 292 W 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247 封装: Tube 栅极电荷 Qg: 65 nC VISHAY产品 591D477X06R3W2T 594D106X0016A2T 593D104X0050A2TE3 595D106X0035D2T592D104X0035A2T 594D106X0016B2T 593D105X0010P2TE3 595D106X0050D2T592D104X0050A2T 594D106X0016C2T 593D105X0016A2TE3 595D106X0050E2T592D105X0010P2T 594D106X0020B2T 593D105X0016P2TE3 595D106X06R3A2T592D105X0016A2T 594D106X0020C2T 593D105X0020A2TE3 595D106X06R3B2T592D105X0016P2T 594D106X0025C2T 593D105X0025A2TE3 595D106X06R3P2T592D105X0020A2T 594D106X0025D2T 593D105X0025B2TE3 595D107X0004B2T592D105X0025A2T 594D106X0035D2T 593D105X0035A2TE3 595D107X0004C2T592D105X0025B2T 59...

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仙童全新原装/拆机场效应管 FQPF2N60C 2N60C 2N60现货

信息内容:

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