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MOS场效应管 IRF4905PBF  IRF4905

MOS场效应管 IRF4905PBF  IRF4905

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。 　　MOS场效应管主要特点：　　在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起

SOD-323封装:  1N4148WS;1N4448WS;1SS355;1SS357;1SS358;1SS380;1SS404
                     B0530W;B5817WS;W5818WS;B5819WS;BAS316;BAS40WS;BAS516
                     BAS70WS;BAT42WS;BAT43WS;BAT60B;RB500V-40;RB501V-40
                     RB551V-30;RB751V-40;SD101AWS;SD101BWS;SD101CWS
                     SD103AWS;SD103BWS;SD103CWS;SD106WS;SD107WS;BAP50-03
 
SOD-523封装:  1SS387;1SS388;1SS389;1SS400;1SS422;BAS16X;BAS516;
                     BAT54X;RB520S-30;RB521S-30;RB751S-40
 
SOT-23封装 :  2SA1037AK;2SB624;2SC1623-L6;2SA812-M6;2SC3356-R24
                     2SC3356-R25;BFR92A;BFR93A;BFR540;PBR951;BFR106;
                     2SC3838;2SC3583;2SC3585;2SD2114K;2SK209/GR;2SK302/GR
                     2SK360IRFTL-EQ;2SK360IGETL;2SK508;2SK3018;DAN217
 
ZETEX系列 :   FMMT451;FMMT455;FMMT458;FMMT491;FMMT493;FMMT494
                     FMMT495;FMMT497;FMMT549;FMMT551;FMMT555;FMMT558
                     FMMT576;FMMT589;FMMT591;FMMT593;FMMT596;FMMT617
                     FMMT618;FMMT619;FMMT624;FMMT625;FMMT717;FMMT718
                     FMMT720;FMMT722;FMMT723等等...
                     FMMT2222A;FMMT2369A;FMMT2484;FMMT2907A;FMMT3903
                     FMMT3904;FMMT3905;FMMT3906等等...

场效应管AO/VISHAY系列
SOT-23封装系:  AO3400;AO3401;AO3402;AO3403;AO3404;AO3405;AO3406                   
                      AO3407;AO3408;AO3409;AO3413 AO3414;AO3415;AO3416
                      AO3418;AO3419;AO3420等等
                      SI2301;SI2302;SI2303;SI2304;SI2305;SI2306;SI2307
                      SI2308;SI2309;SI2311;SI2312;SI2314;SI2315;SI2316
                      SI2318;SI2319;SI2320;SI2321;SI2323;SI2325;SI2327
                      SI2328等等...
 
SOT-323封装系:AO7401;AO7600;AO7801
SOP-8  封装系 :AO4403;AO4404;AO4405;AO4406;AO4407;AO4408;AO4410
                      AO4411;AO4413;AO4414;AO4415;AO4418;AO4419;AO4420
                      AO4422;AO4423;AO4425;AO4429;AO4430;AO4433;AO4437
                      AO4438;AO4440;AO4446;AO4600;AO4601;AO4604;AO4606
                      AO4607;AO4609;AO4611;AO4612;AO4613;AO4614;AO4615
                      AO4701;AO4702;AO4704;AO4800;AO4805;AO4807;AO4812
                      AO4813;AO4822;AO4826;AO4900 AO4906;AO4912;AO4914
                      AO4916;AO4918;AO9926

MOS场效应管分类：　　根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 　　以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。 　　国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图。 　　MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。

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