价 格: | 面议 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
型号/规格: | AO4803A | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
品牌/商标: | AOS万代 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
产品图片 |
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产品 |
产品广泛应用: AOS美国万代: AO3400A AO3401A AO3402 AO3403 AO3407 A03409 日本松木: ME2301 ME2302 ME2305 ME2306 ME2307 ME2323D 台湾擎力: SPP2301 SPN2302 SPP2303 SPN2304 SPP2305 SPN2308
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质量 |
全新原装环保 主营电子元器件+配套服务 期待与您的长期合作 |
联系方式 |
联系地址:广东省 深圳市 福田区华强三期佳和大厦3A132 联系电话:13410377061 传真号码:0754-82894329 腾讯QQ:838205202
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制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 4.2 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 5 S 汲极/源极击穿电压: 900 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 4 A 功率耗散: 140 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C
【INFINEON进口原装场效应管】20N60C3 SPP20N60C3 【INFINEON进口原装场效应管】20N60C3 SPP20N60C3 20N60C3 SPP20N60C3产品规格 参数 Datasheets SP(P,I,A)20N60C3Product Photos TO-220-3Product Training Modules CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs ConvertersCatalog Drawings MOSFET TO-220(AB), TO-220-3Standard Package 500Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries CoolMOS™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 650VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 20.7ARds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13.1A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mAGate Charge (Qg) @ Vgs 114nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 2400pF @ 25VPower - Max 208WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package PG-TO220-3Packaging TubeCatalog Page 1394 (US2011 Interactive)1394 (US2011 PDF)Other Names SP000013527SPP20N60C3INSPP20N60C3XSPP20N60C3XINSPP20N60C3XIN-NDSPP20N60C3XK"