价 格: | 5.00 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | 2N6339 | |
应用范围: | 开关 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
结构: | 平面型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 金属封装 |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量 25A/140dzsc/18/8636/18863613.jpg
数据列表KSD880产品相片TO-220-3, TO-220AB产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007标准包装200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()3A电压 - 集电极发射极击穿()60VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1V @ 300mA, 3A电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 500mA, 5V功率 - 30W频率 - 转换3MHz安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装散装 dzsc/18/8636/18863615.jpg
dzsc/18/8636/18863622.jpg数据列表2N3906, MMBT3906, PZT3906产品相片TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead产品变化通告Fe Wire Change 12/Oct/2007产品目录绘图Transistor TO-92 Package标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)()200mA电压 - 集电极发射极击穿()40VIb、Ic条件下的Vce饱和度()400mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA, 1V功率 - 625mW频率 - 转换250MHz安装类型通孔封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线供应商设备封装TO-92-3包装带卷 (TR)产品目录页面1601 (CN2011-ZH PDF)其它名称2N3906D26ZTR2N3906_D26Z