价 格: | 0.10 | |
加工定制: | 是 | |
品牌: | 长电 | |
型号: | 2SD2150 | |
应用范围: | 振荡 | |
材料: | 锗(Ge) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCEO: | 标准(V) | |
集电极允许电流ICM: | 标准(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 标准(W) | |
截止频率fT: | 标准(MHz) | |
结构: | 肖特基 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
封装: | sot-89 | |
类型: | 贴片三极管 | |
批号: | 2011 |
Digi-Key 零件编号制造商零件编号描述系列制造商晶体管类型电流 - 集电极 (Ic)()电压 - 集电极发射极击穿()Ib、Ic条件下的Vce饱和度()电流 - 集电极截止()在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)功率 - 频率 - 转换安装类型封装/外壳包装
2SD2150T100RTR-ND2SD2150T100RTRANSIS
类别分离式半导体产品家庭二极管,整流器 - 阵列系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()1.25V @ 150mA电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 80V电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)215mA (DC)电压 - (Vr)()100V反向恢复时间(trr)4ns二极管型标准速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)二极管配置1 对串联安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3包装带卷 (TR)"
标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 50A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C84AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3210pF @ 25V功率 - 200W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 (直引线)包装管件供应商设备封装TO-220AB其它名称*IRF1010EPBF"