价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
型号/规格: | BSS82C | |
应用范围: | 开关 | |
材料: | 锗(Ge) | |
极性: | PNP型 | |
击穿电压VCBO: | 30(V) | |
集电极允许电流ICM: | 5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 0.33(W) | |
截止频率fT: | 250(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 陶瓷封装 | |
类型: | 其他IC |
PNP Silicon Switching Transistors
High DC current gain: 0.1mA to 500 mA
Low collector-emitter saturation voltage
详细资料以下网址:
http://pdf1.alldatasheet.jp/datasheet-pdf/view/79404/INFINEON/BSS82.html
原装现货特点•塑料袋运每包1000个;可用的磁带卷,每卷5000个,通过添加后缀“RL”零件编号这些无铅器件* 特殊设计轴向引线,快速恢复整流器应用,如直流电源,逆变器,转换器,超声波系统,直升机,低RF干扰和滑行二极管。一个具有典型的快速恢复整流器的完整产品线150纳秒,提供高效率的恢复时间250千赫的频率。
Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:12A; On-Resistance, Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC; Drain-Source Breakdown Voltage:30V晶体管极性:NPN电压, Vceo:40V截止频率 ft, 典型值:300MHz功耗, Pd:350mW集电极直流电流:200mA直流电流增益 hFE:300封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)SMD标号:1A功耗:350mW器件标记:BT3904噪声因子(NF), :5dB封装类型:SOT-23总功率, Ptot:350mW晶体管数:1晶体管类型:通用小信号连续电流, Ic:200mA最小增益带宽 ft:300MHz电压, Vcbo:60V电流, Ic hFE:10mA电流, Ic :200mA直流电流增益 hfe, 最小值:100表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat :0.2VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP