价 格: | 面议 | |
品牌: | RENESAS/瑞萨 | |
型号: | 2SK2796-90STR | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 100(V) | |
跨导: | 100(μS) | |
极间电容: | 100(pF) | |
低频噪声系数: | 100(dB) | |
漏极电流: | 100(mA) | |
耗散功率: | 100(mW) |
MC7915CT | MOT | 0449+ | TO220 |
STA401A | SK | 4D3 | DIP10 |
29m05a | 03+ | TO252 | |
k2415 | NEC | 02+ | TO252 |
B1182 | ROHM | TO252 | |
IRLR024N | IR | 0134+ | TO252 |
2SC3518 | NEC | 05+ | TO252 |
JSF55051 | GMT | 06+ | SOT-223 |
SUD50N04-06P-T4E3 | VISHAY | 0530+ | TO252 |
U10GWJ2C4 | TOSHIBA | 03+ | TO-263 |
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