价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | HGTG30N60A4D | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | D/变频换流 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | 20(V) |
HGTG30N60A4D TO-247 仙童原装
上海贯翼电子有限公司是一家的半导体分立器件代理分销商,有着多年的电子元器件销售及配套经验,公司拥有的销售工程师和技术支持工程师,能够为客户提供的产品选型方案和服务。
公司产品线包括LCD 、MCU驱动芯片、MOSFET、IGBT、可控硅、快恢复二极管、肖特基二极管、桥式整流器、整流模块。产品广泛应用于开关电源、LED照明、电子镇流器、健身器材、焊接设备、工控、等领域。 我们的产品线主要为半导体器件业界全球品牌,包括IR、Vishay、ST、CREE、IXYS、FSC、Microchip 、Magnachip、SEP、HOLTEK、RENESAS、MIC、等。公司备有大量现货,拥有完善的采购网络,同时公司与世界数百家厂商及现货商联网,能迅速解决客户的紧急需求。
目前,公司销售网络遍及全国,我们竭诚欢迎新老客户选择我司,我们将一如既往的以良好的信誉、可靠的品质、一流的服务呈现给您,共创电子工业的辉煌。
"RJH60F5DPQ-A0 瑞萨 可以代替仙童的FGH40N60SFD 英飞凌的IKW30N60T Collector to emitter voltage VCES 600 VGate to emitter voltage VGES ±30 VCollector current Tc = 25 °C IC 80 ATc = 100 °C IC 40 ACollector peak current ic(peak) Note1 160 ACollector to emitter diode forward peak current iDF(peak) Note2 100 ACollector dissipation PC 260.4 WJunction to case thermal impedance (IGBT) ?j-c 0.48 °C/WJunction to case thermal impedance (Diode) ?j-cd 2.0 °C/WJunction temperature Tj 150 °CStorage temperature Tstg –55 to 150 °C "
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise notedNotes :(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperatureThermal CharacteristicsSymbol Description SGH40N60UFD UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGES Gate-Emitter Voltage ± 20 VICCollector Current @ TC = 25°C 40 ACollector Current @ TC = 100°C 20 AICM (1) Pulsed Collector Current 160 AIF Diode Continuous Forward Current @ TC = 100°C 15 AIFM Diode Maximum Forward Current 160 APD Maximum Power Dissipation @ TC = 25°C 160 WMaximum Power Dissipation @ TC = 100°C 64 WTJ Operating Junction Temperature -55 to 150 °CTstg Storage Temperature Range -55 to 150 °CTLMaximum Lead Temp. for SolderingPurposes, 1/8” from Case for 5 Seconds 300 °C公司介绍上海贯翼电子有限公司是一家的半导体分立器件代理分销商,有着多年的电子元器件销售及配套经验,公司拥有的销售工程师和技术支持工程师,能够为客户提供的产品选型方案和服务。 公司产品线包括LCD 、MCU驱动芯片、MOSFET、IGBT、...