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供应场效应管IXGH50N60

价 格: 6.50
品牌:IXY美国电报半导体
型号:IXGH50N60
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:HI-REL/高可靠性
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:600(V)
夹断电压:600(V)
低频跨导:0.018(μS)
极间电容:3900(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:75(mA)
耗散功率:400(mW)

IXGH50N60

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结型场效应管 王小芸
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
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信息内容:

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拆机场效应管7N60,STP7NK60,STP7NB60

信息内容:

dzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpg9N60 1.2510N60 1.2511N60 1.2512N60 1.320N60 1.38N60 1.17N60 1.16N60 0.95N60 0.84N60 0.653N60 0.62N60 0.553N80 0.654N90 0.93N90 0.754N100 1.0

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