价 格: | 6.50 | |
品牌: | IXY美国电报半导体 | |
型号: | IXGH50N60 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | HI-REL/高可靠性 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 600(V) | |
夹断电压: | 600(V) | |
低频跨导: | 0.018(μS) | |
极间电容: | 3900(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 75(mA) | |
耗散功率: | 400(mW) |
IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
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dzsc/18/8628/18862854.jpgdzsc/18/8628/18862854.jpgdzsc/18/8628/18862854.jpgdzsc/18/8628/18862854.jpgdzsc/18/8628/18862854.jpg长年现货供应拆机电子元器件,产品有场效应管,开关功率管,三极管,肖特基,快恢复.整流二极管.电解电容,排桥,硅桥.产品应用于开关电源,电磁炉5
dzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpgdzsc/18/8629/18862901.jpg9N60 1.2510N60 1.2511N60 1.2512N60 1.320N60 1.38N60 1.17N60 1.16N60 0.95N60 0.84N60 0.653N60 0.62N60 0.553N80 0.654N90 0.93N90 0.754N100 1.0