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VISHAY场效应管/进口原装场效应管 SIHG20N50

价 格: 面议
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格:SIHG20N50
材料:ALGaAS铝镓砷
用途:O/振荡
品牌/商标:Vishay/威世通
沟道类型:P沟道
种类:结型(JFET)
导电方式:增强型

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制造商:  Vishay   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管极性:  N-Channel   
 
电阻汲极/源极 RDS(导通):  0.55 Ohms   
 
汲极/源极击穿电压:  400 V   
 
闸/源击穿电压:  +/- 20 V   
 
漏极连续电流:  10 A   
 
功率耗散:  125 W   
 
工作温度:  + 150 C   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-220AB   
 
封装:  Tube   
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
Standard Pack Qty:  1000  
 

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 陈义伟
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