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热卖场效应管SI2301

价 格: 1.00
品牌:Vishay/威世通
型号:SI2301
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-INM/独立组件
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷
开启电压:33(V)
夹断电压:333(V)
跨导:33(μS)
极间电容:33(pF)
低频噪声系数:33(dB)
漏极电流:33(mA)
耗散功率:33(mW)

制造商:  Vishay   
 
产品种类:  MOSFET 小信号   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管极性:  P-Channel   
 
汲极/源极击穿电压:  20 V   
 
闸/源击穿电压:  +/- 8 V   
 
漏极连续电流:  2.2 A   
 
功率耗散:  700 mW   
 
工作温度:  + 150 C   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  TO-236-3   
 
封装:  Reel   
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
Standard Pack Qty:  3000  
 

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 陈义伟
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仙童FSC进口原装场效应管 FCA47N60F

信息内容:

仙童FSC进口原装场效应管 FCA47N60F 仙童FSC进口原装场效应管 FCA47N60F FCA47N60F 产品规格 参数 PDF Datasheets FCA47N60FProduct Photos FCA47N60FCatalog Drawings MOSFET TO-3P(N)Standard Package 30Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries SuperFET™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 47ARds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 23.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 270nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 8000pF @ 25VPower - Max 417WMounting Type Through HolePackage / Case TO-3P-3, SC-65-3Supplier Device Package TO-3PNPackaging TubeCatalog Page 1386 (US2011 PDF)

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专营仙童场效应管FQP4N90C 4N90C现货

信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 4.2 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 5 S 汲极/源极击穿电压: 900 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 4 A 功率耗散: 140 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 专营仙童场效应管FQP4N90C 4N90C 专营仙童场效应管FQP4N90C 4N90C"

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