| 价 格: | 1.00 | |
| 品牌: | Vishay/威世通 | |
| 型号: | SI2301 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压: | 33(V) | |
| 夹断电压: | 333(V) | |
| 跨导: | 33(μS) | |
| 极间电容: | 33(pF) | |
| 低频噪声系数: | 33(dB) | |
| 漏极电流: | 33(mA) | |
| 耗散功率: | 33(mW) |
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET 小信号
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 2.2 A
功率耗散: 700 mW
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-236-3
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 3000
仙童FSC进口原装场效应管 FCA47N60F 仙童FSC进口原装场效应管 FCA47N60F FCA47N60F 产品规格 参数 PDF Datasheets FCA47N60FProduct Photos FCA47N60FCatalog Drawings MOSFET TO-3P(N)Standard Package 30Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries SuperFET™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 47ARds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 23.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 270nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 8000pF @ 25VPower - Max 417WMounting Type Through HolePackage / Case TO-3P-3, SC-65-3Supplier Device Package TO-3PNPackaging TubeCatalog Page 1386 (US2011 PDF)
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 4.2 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 5 S 汲极/源极击穿电压: 900 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 4 A 功率耗散: 140 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 专营仙童场效应管FQP4N90C 4N90C 专营仙童场效应管FQP4N90C 4N90C"