MOS管 三极管 场效应 IRG4PC40S IRG4PC40 IRG4PC40SPbF
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRG4PC40S | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRG4PC40SPbF
产品相片 TO-247-3
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 1.5V @ 15V, 31A
电流 - 集电极 (Ic)（） 60A
功率 - 160W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC)
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应 IRFI9630G IRFI9630GPBF IRFI9630
信息内容：数据列表 IRFI9630G 产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 800 毫欧 @ 2.6A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.3A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 700pF @ 25V 功率 - 35W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件 其它名称 *IRFI9630GPBF
MOS管 三极管 场效应 IRFPE30 IRFPE30PBF
信息内容：数据列表 IRFPE30 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 2.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 800V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.1A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 78nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 其它名称 *IRFPE30 "
