现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管AOD406
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌/商标： | Alpha/阿尔法 | |
| 型号/规格： | AOD406 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
AOD406
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = 30V
ID = 85A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 5.0mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 5.7mΩ (VGS = 4.5V)
General Description
The AOD406 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode
characteristics. This device is ideally suited for use as a low
side switch in CPU core power conversion. Standard
Product AOD406 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AOD406L is a Green Product ordering
option. AOD406 and AOD406L are electrically identical.
TO-252
D-PAK
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263 262 252 251 223 MOS管
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现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管AOD438
信息内容：AOD438N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesVDS (V) = 30VID = 85A (VGS = 10V)RDS(ON) < 3.5mΩ (VGS = 10V)RDS(ON) < 5.5mΩ (VGS = 4.5V)General DescriptionThe AOD438 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and lowgate resistance. This device is ideally suited for useas a low side switch in CPU core power conversion.Standard Product AOD438 is Pb-free (meets ROHS& Sony 259 specifications). AOD438L is a GreenProduct ordering option. AOD438 and AOD438L areelectrically identical.Gdzsc/18/8627/18862729.jpg263 262 252 251 223 MOS管
现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管 AOD438
信息内容：dzsc/18/8641/18864137.jpg263 262 252 251 223 MOS管
