价 格: | 0.90 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | NEC/日本电气 | |
型号/规格: | D1585 | |
应用范围: | 开关 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
结构: | 平面型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8616/18861691.jpg
数据列表BU406(H), 408产品相片TO-220-3, TO-220AB产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007产品目录绘图Transistor TO-220(AB)标准包装200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()7A电压 - 集电极发射极击穿()200VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1V @ 500mA, 5A电流 - 集电极截止()5mA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-功率 - 60W频率 - 转换10MHz安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装散装产品目录页面1600 (CN2011-ZH PDF)其它名称BU406-NDBU406FS dzsc/18/8619/18861950.jpg"
数据列表TIP140-142, TIP145-147TIP142, TIP147产品相片TO-247-3其它有关文件TIP142 View All Specifications产品目录绘图TO-247 Package标准包装30类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)()10A电压 - 集电极发射极击穿()100VIb、Ic条件下的Vce饱和度()3V @ 40mA, 10A电流 - 集电极截止()2mA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)1000 @ 5A, 4V功率 - 125W频率 - 转换-安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247-3包装管件产品目录页面1546 (CN2011-ZH PDF)工具箱497-8005-KIT-ND- KIT TRANSISTOR NPN/PNP 22VAL 5EA其它名称497-2541-5TIP142-TO218-ND dzsc/18/8621/18862132.jpgdzsc/18/8621/18862132.jpg"