原厂供应超结MOS管场效应管NCE11N65 650V/11A
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | NCE | |
| 型号/规格： | NCE11N65 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2.5-3.5（V） | |
| 夹断电压： | 650（V） | |
| 极间电容： | 1350（pF） |
产品特征：卓越的功率转换效率
极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A）
极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg)
卓越的Eas能力（100%Eas测试）
产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗
适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄
照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率
消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效
Vds=650V；Id=11A；
RDS(ON)<340mΩ @Vgs=10V (Typ:380mΩ)
注：@在…的条件下 封装：TO-220
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
dzsc/18/8613/18861375.jpg
- 所属城市：江苏 无锡
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王敏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
原厂供应超结MOS管 场效应管NCE05N65F 650V/4.8A
信息内容：产品特征：卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A） 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100%Eas测试） 产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗 适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄 照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效 Vds=650V；Id=4.8A ； Rds<950mΩ @Vgs=10V (Typ:850mΩ) 注：@在…的条件下 封装：TO-220Fdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpgdzsc/18/8618/18861878.jpg "
原厂供应超结MOS管 场效应管NCE08N65 650V/7.8A
信息内容：产品特征：卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A） 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100%Eas测试） 产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗 适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄 照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效 Vds=650V；Id=7.8A； RDS(ON)<600mΩ @Vgs=10V (Typ:540mΩ)注：@在…的条件下 封装：NCE08N65D为TO-263 NCE08N65为TO-220 NCE08N65F为TO-220Fdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/18861977.jpgdzsc/18/8619/1...
