价 格: | 面议 | |
封装外形: | WAFER/裸芯片 | |
型号/规格: | 14N65 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | 进口 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆14N65,质量保证。
芯片基本性质:
芯片型号Model | 14N65 | |
芯片尺寸: | 4.4*4.4 |
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硅片直径(㎜) | φ125 |
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正面电极金属 | Al-Si-Cu |
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背面电极金属 | Ti-Ni-Ag |
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VDSS | 650V | |
RDS(on) | 0.65Ω(max) |
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ID | 2uA |
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我司可提供相关型号详细资料。
我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!
我司经销高频放大环境额定双极型达林顿晶体管,质量保证。芯片物理参数:芯片型号Model 2XN972芯片尺寸mm:0.65*0.65正面电极金属铝背面电极金属金电压VCEO30V电流I0.8A推荐厂家参考封装形式:芯片型号推荐封装形式封装类型 2XN972TO-92/SOT-23塑封我司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望与各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!
我公司经销硅NPN低频放大双极型晶体管芯片/晶圆3DD1118B,质量保证。产品概述:该芯片在采用适当的封装工艺以后,可以形成多种封装形式的功率晶体管,主要用于小型电子充电器、电子适配器的开关电路。芯片物理参数:芯片型号Model3DD1118B芯片尺寸mm:1.18*1.18正面电极金属铝背面电极金属银推荐厂家参考封装形式:芯片型号推荐封装形式封装类型 3DD1118BTO-92塑封我司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望与各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!