50 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路 |
- |
NPN - 达林顿 |
8A |
180V |
2.5V @ 80mA,8A |
50µA |
1000 @ 3A,4V |
37W |
- |
通孔 |
TO-220-3 整包 |
TO-220FP |
管件 |
标准包装30类别分离式半导体产品家庭三端双向可控硅开关系列-三端双向可控硅开关类型标准安装类型通孔配置单一电流 - 维持(Ih)80mA电压 - 断路600V电流 - 栅极触发电流 (Igt)()50mA电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)400A, 420A电流 - 导通状态 (It (RMS))()40A电压 - 栅极触发器 (Vgt)()1.3V包装管件供应商设备封装TOP3封装/外壳TOP-3 绝缘
dzsc/18/8612/18861255.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 43 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 功率耗散: 298 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-247 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole