价 格: | 0.90 | |
加工定制: | 否 | |
产品类型: | 肖特基管 | |
是否进口: | 是 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | MBR20150 | |
材料: | 硅(Si) |
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MBR20150CT |
TO-220-3, TO-220AB |
MBR20 Series TO-220 MBR20 Circuit |
50 |
分离式半导体产品 |
二极管,整流器 - 阵列 |
- |
750mV @ 10A |
200µA @ 150V |
10A |
150V |
- |
肖特基 |
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io) |
1 对共阴极 |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220 |
管件 |
1611 (CN2011-ZH PDF) |
数据列表SS9018产品相片TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead产品变化通告Fe Wire Change 12/Oct/2007标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭RF 晶体管 (BJT)系列-晶体管类型NPN电压 - 集电极发射极击穿()15V频率 - 转换1.1GHz噪声系数(dB典型值@频率)-增益-功率 - 400mW在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)97 @ 1mA, 5V电流 - 集电极 (Ic)()50mA安装类型通孔封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体供应商设备封装TO-92-3包装散装 dzsc/18/8600/18860066.jpg
数据列表SS8050产品相片TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead产品变化通告Fe Wire Change 12/Oct/2007标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()1.5A电压 - 集电极发射极击穿()25VIb、Ic条件下的Vce饱和度()500mV @ 80mA, 800mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)160 @ 100mA, 1V功率 - 1W频率 - 转换100MHz安装类型通孔封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体供应商设备封装TO-92-3包装散装 dzsc/18/8600/18860067.jpg"