供应三极管 S8050(图)
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | S8050 | |
| 应用范围： | 放大 | |
| 材料： | 硅 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 击穿电压VCBO： | 40（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 800ma（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 625（W） | |
| 截止频率fT： | 150（MHz） | |
| 结构： | 平面型 | |
| 封装形式： | TO-92 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
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MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 800 mA
TJ, Tstg Junction and Storage Temperature -55-150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100μA , IE=0 40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC= 0.1mA , IB=0 25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= 100μA , IC=0 6 V
Collector cut-off current ICBO VCB= 35V , IE=0 0.1 μA
Collector cut-off current ICEO VCE= 20V , IB=0 0.1 μA
hFE(1) VCE=1V, IC=5mA 45 hFE(2) VCE=1V, IC=100mA 80 400 DC current gain hFE（3） VCE=1V, IC=800mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= 800mA, IB=80mA 0.5 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=800mA, IB= 80mA 1.2 V
Transition frequency f T VCE=6V, IC= 20mA , f=30MHz 150 MHz
* Pulse Test : pulse width ≤ 300μs , duty cycle ≤2%.
CLASSIFICATION OF hFE(2)
Rank B C D D3
Range 80-160 120-200 160-300 300-400
1 2 3
TO-92
1.EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR
- 所属城市：广东 中山
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 曹 平
- 电话：0760-2625485
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