价 格: | 0.15 | |
加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | 2SC4228 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
结构: | 平面型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC4228。2SC4228主要用于VHF、UHF低噪声放大器。长期供应,货源稳定。
**主要特性
高增益: ︱S21︱2 典型值为 7.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=5mA
低躁声: NF典型值为 1.9dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=5mA
增益带宽乘积: fT典型值为 8GHz f =2GHz、Vce=3V、Ic=5mA
**极限工作条件范围 (T=25℃):
基集电极极击穿电压 VCBO20 V 集电极发射极击穿电压VCEO10V 发射极基极击穿电压 VEBO 1.5 V 集电极电流IC 35 mA 功耗PC0.15W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ +150 ℃
**HFE规格
标号G R43 HFE 50-100
标号 R R44 HFE 80-150
标号 S R45 HFE 125-300
**封装形式 SOT-323
**包装基数 3000/盘
批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC3127 。2SC3127主要用于VHF、UHF低噪声放大器。长期供应,货源稳定。 **主要特性NF典型值为 2dB f =1GHz、Vce=5V、Ic=5mA增益带宽乘积: fT典型值为 6GHz f =1GHz、Vce=5V、Ic=20mA**极限工作条件范围 (T=25℃): 基集电极极击穿电压 VCBO25 V 集电极发射极击穿电压VCEO12V 发射极基极击穿电压 VEBO 2.5V 集电极电流IC 50mA 功耗PC0.15W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ +150 ℃**HFE规格标号G HFE 50-100标号 R HFE 80-150标号 S HFE 125-300**封装形式 SOT-23**包装基数 3000/盘
批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC5191 。2SC5191主要用于UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。长期供应,货源稳定。 **主要特性高增益: ︱S21︱2 典型值为 6.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=20mA低躁声: NF典型值为 1.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=7mA增益带宽乘积: fT典型值为 8.5GHz Vce=3V、Ic=20mA**极限工作条件范围 (T=25℃): 基集电极极击穿电压 VCBO 9V 集电极发射极击穿电压VCEO 6V 发射极基极击穿电压 VEBO 2V 集电极电流IC 100 mA 功耗PC 0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号FB T88 HFE 80-160**封装形式 SC-59**包装基数 3000/盘