| 价 格: | 0.50 | |
| 加工定制: | 是 | |
| 产品类型: | 肖特基管 | |
| 是否进口: | 是 | |
| 品牌/商标: | 国产 | |
| 型号/规格: | B0530W | |
| 材料: | 其他 | |
| 主要参数: | A | |
| 用途: | A | |
| 备注: | A | |
| 封装材料: | 塑料封装 | |
| 出光面特征: | 微型管 | |
| 封装形式: | 贴片型 |
NARectifier - Schottky 30V 410mW
| B0530W |
| SOD-123 |
| Encapsulate Change 29/Aug/2008 |
| B(05,0)xxW, 1N5819HW Top B(05,0)xxW, 1N5819HW Side 1 B(05,0)xxW, 1N5819HW Side 2 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/整流器 |
| - |
| 430mV @ 500mA |
| 30V |
| 500mA |
| 130µA @ 30V |
| 肖特基 |
| 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io) |
| - |
| 170pF @ 0V, 1MHz |
| 表面贴装 |
| SOD-123 |
| SOD-123 |
| 带卷 (TR) |
类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1960pF @ 25V功率 - 130W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3包装管件供应商设备封装TO-220AB"
NARectifier - Schottky 30V 410mW数据列表B0520LW产品相片SOD-123产品变化通告Encapsulate Change 29/Aug/2008其它图纸B(05,0)xxW, 1N5819HW TopB(05,0)xxW, 1N5819HW Side 1B(05,0)xxW, 1N5819HW Side 2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()385mV @ 500mA电压 - (Vr)()20V电流 - 平均整流 (Io)500mA电流 - 在 Vr 时反向漏电250µA @ 20V二极管型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-电容@ Vr, F170pF @ 0V, 1MHz安装类型表面贴装封装/外壳SOD-123供应商设备封装SOD-123包装带卷 (TR)