价 格: | 45.00 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | 3DF50G | |
应用范围: | 放大 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 450(V) | |
集电极允许电流ICM: | 50(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 500(W) | |
结构: | 平面型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
此条信息的一口价,为大功率三极管3DF50G商业品的价格。
工业品和普军品的价格如下:
3DF50G 工业品:80.0元/只
3DF50G 普军品:260.0元/只
型号:3DF50G
NPN高频特大功率三极管
封装形式:TO-3PIII
电特性:
极限值(除非另有规定Tamb=25℃)
参数名称 | 符 号 | 额定值 | 单 位 |
集电极—发射极电压 | VCE0 | 400-800 | V |
集电极—基极电压 | VCBO | 900 | V |
发射极—基极电压 | VEBO | ≥7 | V |
集电极电流 | IC | 50 | A |
耗散功率 | Pc | 500 | W |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数(除非另有规定Tamb=25℃)
参数名称 | 符号 | 规范值 | 单位 | ||
最小 | 典型 | ||||
集电极-基极截止电流 | ICB0 | — | — | 10.0 | mA |
发射极-基极截止电流 | IEB0 | — | — | 10.0 | mA |
直流电流增益 | hFE | 20 | — | 120 |
|
集电极-发射极饱和电压 | VCEsata | — | — | 3 | V |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | 500 | — | 800 | V |
集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | 900 | — | — | V |
发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | 7.0 | — | — | V |
开启时间 | Ton | — | — | 1.8 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 5.0 | us |
下降时间 | tf | — | — | 1 | us |
a:脉冲测试 |
我公司是生产三极管(大功率)、场效应管、开关三极管、功放对管、超声波用晶体管等一系列功率分立器件。 型号:3DD5686NPN大功率三极管 封装形式:TO-3PII 电特性:极限值(除非另有规定Tamb=25℃)参数名称符 号额定值单 位集电极—发射极电压VCE0200V集电极—基极电压VCBO250V发射极—基极电压VEBO≥6V集电极电流IC50A耗散功率Pc300W贮存温度Tstg-55 ~ +150℃ 电参数(除非另有规定Tamb=25℃)参数名称符号规范值单位最小典型集电极-基极截止电流ICB0——10.0mA发射极-基极截止电流IEB0——10.0mA直流电流增益hFE30—120 集电极-发射极饱和电压VCEsata——3V集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO200——V集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO250——V发射极-基极击穿电压V(BR)EBO7.0——V开启时间Ton——1.8us贮存时间ts——5.0us下降时间tf——1usa:脉冲测试
3DF50C 50A 230V 500W dzsc/18/8566/18856668.jpg 富阳创博科技有限公司生产大功率三极管_场效应管_开关三极管_超声波用晶体管_功放对管等元器件! 型号 极性 电流(A) 电压(V) 功率(W)2SC3320 NPN 15 400-500 802SC2625 NPN 10 450 802SC2623 NPN 20 450 1002SC2617 NPN 15 500 1252SC3679 NPN 5 800-900 1002SC4110 NPN 25 400-500 1502SC4111 NPN 10 700-1500 1502SC4237 NPN 10 800-1200 1502SC3998 NPN 25 800-1500 2502SC3997 NPN 20 800-1500 2502SC2246 NPN 15 450 1002SC2659 NPN 7 500-800 1202SC2751A NPN 15 500 1202SC2774 NPN 17 200 2002SC2830 NPN 20 500 2002SC2930 NPN 30 500 ...