LBSS84LT1G 印字PD BSS84 MOSFET P通道 SOT-23 LRC on安森美
| 价 格： | 0.08 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 品牌/商标： | LRC乐山/ON安森美 | |
| 型号/规格： | BSS84LT1G | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 材料： | 硅(Si) |
本公司图片均为实物实拍，保证全新无铅现货
价格：整盘:0.08/个
型号：BSS84LT1G
LBSS84LT1G
代码：PD
品牌：ON/LRC（原装）
规格：SOT-23
数量：3000pcs/盘
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基本参数：
晶体管极性:P
漏极电流, Id值:-130mA
电压, Vds:50V
开态电阻, Rds(on):6ohm
电压@ Rds测量:-10V
电压, Vgs:-20V
功耗:0.25W
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功率, Pd:0.25W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压Vgs @ Rds on测量:-10V
电压, Vds典型值:-50V
电流, Id连续:0.13A
电流, Idm脉冲:0.52A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th典型值:-2V
阈值电压, Vgs th:-2V
FET型 ：MOSFET P通道，金属氧化物prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office"
FET特点 ：逻辑电平门
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C：10欧姆@ 130mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id) @ 25°C：130mA
Id时的Vgs(th)（） ：2V @ 1mA
在Vds时的输入电容(Ciss)：45pF @ 25V
功率- ：250mW
安装类型 ：表面贴装
封装/外壳 ：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装 ：剪切带(CT)
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供应2SC3356-T1B R25 贴片SOT-23 100MA 20V 三极管
信息内容：本公司图片均为实物实拍，保证全新无铅现货价格：整盘:0.15/个型号：2SC3356-T1B代码：R25参数：NPN 100MA 20V 200MW品牌：国产规格：SOT-23数量：3000pcs/盘dzsc/18/8540/18854075.jpgdzsc/18/8540/18854075.jpgdzsc/18/8540/18854075.jpgdzsc/18/8540/18854075.jpgdzsc/18/8540/18854075.jpg
BC847BLT1G 丝印1F 贴片三极管 SOT-23 100MA 50V 225MW NPN
信息内容：本公司图片均为实物实拍，保证全新无铅现货价格：整盘:0.07/个型号：BC847BLT1G LBC847BLT1G代码：1F参数：100MA 50V 225MW NPN品牌：ON/LRC（原装）规格：SOT-23数量：3000pcs/盘dzsc/18/8541/18854110.jpgdzsc/18/8541/18854110.jpgdzsc/18/8541/18854110.jpg
