价 格: | 面议 | |
加工定制: | 是 | |
品牌: | 国产 | |
型号: | S8550 SS8550 2TY Y2 MMBT8550LT1G | |
应用范围: | 放大 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | PNP型 | |
击穿电压VCEO: | 40(V) | |
集电极允许电流ICM: | 1.5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 0.3(W) | |
截止频率fT: | 190(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
封装: | SOT-23 | |
类型: | 开关放大三极管 | |
批号: | 2012 |
型号:S8550
厂家:长电
基本参数:应用范围 :放大
功率特性 :小功率
频率特性 :高频
极性 :PNP型
结构 :点接触型
材料 :硅(Si)
封装材料 :塑料封装
特征频率 :190(MHz)
集电极允许电流 :0.5(A)
集电极允许耗散功率 :0.225(W)
封装:SOT-23
用途: 用于电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路。极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) TO-220 单位:mm 参数符号Symbol数值Rating单位UnitVCEO700VVCBO400VVEBO9.5VIC8AICP16AIB4APC(TC=25℃)75WTj150℃Tstg-55~150℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 引脚: 1 .B 2.C 3.E参数符号Symbol测试条件Test condition数值Rating单位Unit最小值Min典型值Typ值MaxICBOVCB=650V IE=0 100μAIEBOVEB=9V IC=0 100μAhFEVCE=10V IC=2.0A15 35 VCE(sat)IC=5A IB=1A 0.6VVBE(sat)IC=5A IB=1A 1.5VVFIC=2A 2VTsIC=500mA VCE=5V (UI9600A)3 5μSfTVCE=10V IC=500mA f=1 MHZ4 MHZ"
基本参数: dzsc/18/8561/18856144.jpg制造商:DiodesInc.产品种类:双极小信号RoHS:是配置:Single晶体管极性:PNP安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23集电极—发射极电压VCEO:40V发射极-基极电压VEBO:-5V集电极连续电流:-0.2A直流电集电极电流:0.2A功率耗散:300mW工作频率:250MHz工作温度:+150C封装:ReelDCCollector/BaseGainhfeMin:100最小工作温度:-55CStandardPackQty:3000