价 格: | 0.10 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | ST LD1085 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | PNP型 | |
击穿电压VCEO: | 20(V) | |
集电极允许电流ICM: | 1.5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 20(W) | |
截止频率fT: | 15(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
LD1085 3A,低压降正电压稳压器调节及固定-意法半导体
LD1085D2M18TR
LD1085D2MTR
LD1085D2T18TR
LD1085D2T33TR
LD1085D2TTR
LD1085DT25TR
dzsc/18/8524/18852430.jpgdzsc/18/8524/18852430.jpgdzsc/18/8524/18852430.jpgdzsc/18/8524/18852430.jpgdzsc/18/8524/18852430.jpgdzsc/18/8524/18852430.jpgNCV4275DTRKG 5V低电压调节器-安森美半导体完整型号:NCV4275ADS50GNCV4275ADS50R4GNCV4275DSR4GNCV4275ADT33RKGNCV4275DTRKG厂商:ON/安森美封装:SOT-263,SOT-252供应数量:50000最小包装:编带盘装,1000PCS/盘,2500PCS/盘产品特征1. 5.0V,±2%.450毫安输出电压2.非常低的电流消耗3.主动复位4.重设下的量化低=1.0V5.500mV(为)的压差电压6.故障保护+45V峰值瞬态电压-42V反向电压短路过热
NGD8201NT4G IGBT,20A,400V,N沟道-安森美半导体完整型号:NGD8201NT4NGD8201NT4G厂商:ON/安森美封装:SOT-252年份: 10+数量: 50000最小包装:编带盘装,2500PCS/盘产品特点:1.适用于线圈上随插即用驱动器盘管的应用2.采用DPAK封装提供更小的电路板空间增加足迹3.门发射极ESD保护4.温度补偿门集电极电压钳位限制应力负荷的应用1.集成的ESD二极管保护2.用于连接到逻辑电源负载或低阈值电压微处理器设备1.低饱和电压2.高脉冲电流能力3.可选的栅极电阻(RG)和栅极发射极电阻4.无铅包可用应用1.点火系统"