N沟道功率MOSFET MGSF1N03LT1G
| 价 格： | 0.25 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | MGSF1N03LT1G | |
| 应用范围： | 放大 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 频率特性： | 低频 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 封装形式： | SOT223 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 截止频率fT： | 盈利讯科技，欢迎咨询（MHz） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 盈利讯科技，欢迎咨询（W） | |
| 营销方式： | 现货 | |
| 产品性质： | 热销 |
本公司精专于为各新老客户提供：集成电路、二、三极管、电容、电阻、电感等一站式电子元器件配套服务。
公司渠道资源：由采购队伍与国内外电子元件制造商/代理商采购备及大量库存，从而保证了绿色采购、绿色供应、绿色服务，客户到手的都是放心货
配套领域：
1．安防设备 2.医疗设备 3.节能环保设备 4．仪器仪表 5.车载用品
6.家电家居 7.微波 8.通讯 9.灯饰 10.所有IT行业的集成电路。
强势代理分销：ON安森美SOT-23封装全系列二三极管
强势代理分销：AVX、KEMET贴片钽电容
强势代理分销：UNIOHM厚声、SUPEROHM美隆/贴片电阻
MGSF1N03LT1G的技术参数 产品型号:MGSF1N03LT1G 产品广泛应用于： 的便携式电器、DVD、MP4、音响、电视、遥控、机顶盒、数码播放机、数字视听、平板显示、液晶、电源、网络、手机、汽车、照明、节能灯、消费类电子、以及工业等终端产品
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):145
漏极电流Id(on)(A):2.100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
描述:2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王小姐
- 电话：0755-82812380
- 传真：0755-82812390
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供应SOT323封装 二、三极管 代码 B3
信息内容：本公司精专于为各新老客户提供：集成电路、二、三极管、电容、电阻、电感等一站式电子元器件配套服务。公司渠道资源：由采购队伍与国内外电子元件制造商/代理商采购备及大量库存，从而保证了绿色采购、绿色供应、绿色服务，客户到手的都是放心货配套领域：1．安防设备 2.医疗设备 3.节能环保设备 4．仪器仪表 5.车载用品 6.家电家居 7.微波 8.通讯 9.灯饰 10.所有IT行业的集成电路。强势代理分销：ON安森美SOT-23封装全系列二三极管强势代理分销：AVX、KEMET贴片钽电容强势代理分销：UNIOHM厚声、SUPEROHM美隆/贴片电阻"
