长电代理SOD-123肖特基二极管B5817W
| 价 格： | 0.16 | |
| 工作温度范围： | 原装正品（℃） | |
| 功耗： | 原装正品 | |
| 型号/规格： | B5817W | |
| 材料： | 锗(Ge) | |
| 品牌/商标： | 长电 | |
| 产品类型： | 肖特基管 | |
| 针脚数： | 2 | |
| 是否进口： | 是 | |
| 封装： | SOD123 |
原装现货长电CJ B5817W 印字SJ SOD-123 ROHS，原厂授权代理，假一赔十！
B5817W-5819W SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES
For use in low voltage, high frequency inverters
Free wheeling, and polarity protection applications.
MARKING: B5817W: SJ
B5818W:SK
B5819W: SL
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @TA=25℃
Parameter Symbol B5817W B5818W B5819W Unit
Non-Repetitive Peak reverse voltage VRM 20 30 40 V
Peak repetitive Peak reverse voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
20 30 40 V
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 14 21 28 V
Average Rectified Output Current IO 1 A
Peak forward surge current @=8.3ms IFSM 9 A
Repetitive Peak Forward Current IFRM 1.5 A
Power Dissipation Pd 500 mW
Thermal Resistance Junction to
Ambient RθJA 250
Storage temperature TSTG -65~+150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT
Reverse breakdown voltage V(BR)
IR= 1mA
B5817W
B5818W
B5819W
20
30
40
V
Reverse voltage leakage current IR
VR=20V B5817W
VR=30V B5818W
VR=40V B5819W
1 mA
B5817W IF=1A
IF=3A
0.45
0.75
V
B5818W IF=1A
IF=3A
0.55
0.875
Forward voltage VF V
B5819W IF=1A
IF=3A
0.6
0.9
V
Diode capacitance CD VR=4V, f=1MHz 120 pF
- 所属城市：江苏 苏州
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苏州原装现货DO-214AA快恢复二极管SS26
信息内容：产品型号:SS26 产品名称: 品牌/产地: 封装规格:DO-214AA 产品描述: 是否含铅:未知PDF分类:非IC器件 > 分立器件 > 二极管产品参数信息: 参数名 参数值 IO (A) 2 VRRM(V) 60 IFSM(A) 50 VF(V) .7 VF IF(A) 2 IR(uA) 500 IR VR(V) 60 CJ(PF) 180数据手册:文件名:3141046515331.pdf文件大小:300.33 KB下载次数:18下载:
扬杰桥式整流器1A 400V桥堆ABS4
信息内容：ABS2 THRU ABS10桥式整流器 Bridge Rectifier■特征 Features ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark● Io 1A● VRRM 200V~1000V● 玻璃钝化芯片Glass passivated chip● 耐正向浪涌电流能力高High surge forward current capability■用途 Applications● 作一般电源单相桥式整流用General purpose 1 phase Bridgerectifier applications■极限值（额定值）Limiting Values（Absolute Maximum Rating）参数名称 ABSItem符号Symbol单位Unit条件Conditions 2 4 6 8 10反向重复峰值电压Repetitive Peak ReverseVoltageVRRM V 200 400 600 800 1000平均整流输出电流Average Rectified OutputCurrentIO A60Hz正弦波，电阻负载，Ta=25℃60Hz sine wave,R-load,Ta=25℃安装在氧化铝基板上On alumina substrate 1.0正向（不重复）浪涌电流Surge(Nonrepetitive)Forward CurrentIFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ 30正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值Current Squared TimeI2t A2S 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 3.7存储温度Storage TemperatureTstg ℃ -55 ~+150...
