A Transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. Bipolar (Junction) Transistor (BJT) is a three-terminal electronic device constructed of doped semiconductor material.
NPN is one of the two types of bipolar transistors, consisting of a layer of P-doped semiconductor (the "base") between two N-doped layers.
| 产品宽度 | 4.82mm |
| 产品长度 | 10.28mm |
| 产品高度 | 9.28mm |
| 供应商封装 | TO-220AB |
| 安装 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 发射极基极电压 | 5V |
| 工作温度 | 150°C |
| 操作频率 | 10MHz |
| 直流集电极电流 | 1A |
| 集电极发射极发射器电压 | 400V |
| 集电极基极电压 | 500V |
| 最小工作温度 | -65°C |
| 每芯片单元数目 | 1 |
| 类别 | 双极功率 |
| 类型 | NPN |
| 配置 | 单路 |
| 数量 | 单价 |
| 1 | 4.64 |
| 10 | 3.51 |
| 50 | 3.5 |
| 100 | 3.49 |
| 250 | 3.47 |
技术规格产品宽度4.19mm产品长度5.2mm产品高度5.33mm供应商封装TO-92安装通孔引脚数目3 发射极基极电压5V工作温度150°C操作频率60MHz直流集电极电流0.05A集电极发射极发射器电压250V集电极基极电压250V最小工作温度-55°C每芯片单元数目1类别双极小信号类型PNP配置单路单价(不含税) 个数量单价12.325.97
轴向单向 500/600W 瞬态电压抑制器 系列概览瞬态电压抑制器(二极管)技术规格ESD 保护无产品长度7.6mm安装通孔引脚数目2方向类型单向 峰值脉冲电流13.1A工作温度175°C箝压45.7V逆向平衡电压28.2V逆向泄漏电流1μA最小击穿电压31.4V最小工作温度-55°C每芯片单元数目1测试电流1mA配置单路单价(不含税) /个 (每包:5个)数量单价51.72251.65