价 格: | 18.00 | |
工作温度范围: | -55to+175(℃) | |
功耗: | 500mW | |
材料: | 硅(Si) | |
是否进口: | 否 | |
针脚数: | 2 | |
电压,Vz: | 3.3V | |
型号/规格: | BZX55C 3V3 ST(1/2W) 3.3V DO-35 | |
产品类型: | 稳压管 | |
品牌/商标: | SEMTECH/先科 | |
封装: | DO-35 |
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dzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpgdzsc/18/8441/18844102.jpg直插整流二极管详细描述: 整流二极管 rectifier diode 一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容...
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