价 格: | 0.06 | |
加工定制: | 否 | |
产品类型: | 整流管 | |
是否进口: | 否 | |
品牌/商标: | MIC | |
型号/规格: | RL254 | |
材料: | 锗(Ge) | |
主要参数: | 2.5A400V | |
用途: | 整流 | |
备注: | MIC |
本公司长期供应全系列安规电容,金属薄膜电容,高中低压瓷片电容,电解电容,全系列电阻,压敏,热敏,碳膜电阻,二三极管等,竭诚为广大客户提供全方面配套服务。质量保证,承诺最平价。热诚欢迎您的来电洽谈 热线电话:0755-82777381 销售代表:熊先生 13760131002 qq:347555145 EMAIL:XDW1688@163.COMdzsc/18/8433/18843309.jpgdzsc/18/8433/18843309.jpgdzsc/18/8433/18843309.jpg
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dzsc/18/8434/18843429.jpg1N4148是快速恢复二极管,用于保护。比如电平倒灌或者感生电动势等。如果是高频感生电动势,则需要用肖特基二极管其主要参数如下:1N4148反向电压:75V 1N4148正向导通电压:0.62V 到 1V,工作电流不同,正向电压有点不同.1N4148额定电流:100mA1N4148额定功耗:440mW1N4148开关时间:4ns详细参数请见下表本文来自: DZ3W.COM 原文网址:http://www.dz3w.com/info/parameters/0076153.html
整流二极管(rectifier diode): 一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。 选用整流二极管时,主要应考虑其整流电流、反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。"