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部件型号2SK3265 极性N沟 漏源电压VDSS700 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)53 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1 Ω 封装TO-220NIS 管脚数3 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 泰国
部件型号RN2404 极性PNP 集电极-发射极电压VCEO-50 V 集电极电流IC-100 mA 基极串行电阻(R1) (标准)47kΩ 基极-发射极电阻(R2) (标准)47kΩ 封装S-Mini(2.9 x.2.5) 管脚数3 表面安装型Y 互补产品RN1404 备注通用 产品分类内建反偏电阻晶体管(BRT) 装配基础日本, 泰国