价 格: | 30.00 | |
是否提供加工定制: | 是 | |
产品类型: | 整流管 | |
是否进口: | 否 | |
品牌/商标: | MIC | |
型号/规格: | IN4007 | |
材料: | 硅(Si) | |
主要参数: | 1A 1000V |
IN4007 0.6*58长 FR107 0.6*58长 PFS牌 IN4007 0.7*58 IN4007 0.6*52 IN5819 铜脚 6A10--5408--13001 945 8050 8550 有新货到,JC817C,JC817B
常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A,IN4007反向耐压为1000V
常用的IN4000系列的整流二极管有:IN4001、IN4002、IN4003、IN4004、IN4006、IN4007等
IN4001的反向击穿电压为50V,额定正向整流电流为1A
IN4002的反向击穿电压为100V,额定正向整流电流为1A
IN4003的反向击穿电压为200V,额定正向整流电流为1A
IN4004的反向击穿电压为400V,额定正向整流电流为1A
IN4006的反向击穿电压为800V,额定正向整流电流为1A
IN4007的反向击穿电压为1000V,额定正向整流电流为1A
乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象"
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