| 价 格: | 0.03 | |
| 加工定制: | 否 | |
| 产品类型: | 整流管 | |
| 是否进口: | 否 | |
| 品牌/商标: | MIC | |
| 型号/规格: | 1N4007 | |
| 材料: | 硅(Si) | |
| 主要参数: | 1A 1200V | |
| 用途: | 手机充电器 | |
| 备注: | DO-41 |
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1A1N400系列普通整流二极管电性参数:
| 型号JOD | 正向电流IF(A) | 正向电压VF(V) | 反向电压VR(V) | 反向漏电流IR(uA) | 反向恢复时间TRR | 封装形式 |
| 1N4001 | 1.0 | 1.0 | 50 | 3 | DO-41 | |
| 1N4002 | 1.0 | 1.0 | 100 | 3 | DO-41 | |
| 1N4003 | 1.0 | 1.0 | 200 | 3 | DO-41 | |
| 1N4004 | 1.0 | 1.0 | 400 | 3 | DO-41 | |
| 1N4005 | 1.0 | 1.0 | 600 | 3 | DO-41 | |
| 1N4006 | 1.0 | 1.0 | 800 | 3 | DO-41 | |
| 1N4007 | 1.0 | 1.0 | 1000 | 3 | DO-41 |
包装说明:盒装一盒1000PCS,编带一盒5000PCS,一件50000PCS.
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dzsc/18/8400/18840085.jpgdzsc/18/8400/18840085.jpg贴片二极管1N4007技术参数规JOD格正向电流IF(A)正向电压VF(V)反向电压VR(V)反向漏电流IR(uA)封装形式包装数量/盘M71110003SMA(DO-214AC)2K/盘,5K/盘,7.5K盘M4114003SMA(DO-214AC)2K/盘,5K/盘,7.5K盘M3112003SMA(DO-214AC)2K/盘,5K/盘,7.5K盘M2111003SMA(DO-214AC)2K/盘,5K/盘,7.5K盘M111503SMA(DO-214AC)2K/盘,5K/盘,7.5K盘
由于市场行情波动,价格均以当天报价为准! 标准包装:50类别:分离式半导体产品家庭:单二极管/整流器系列:HiPerFRED™二极管类型:标准电压 - (Vr)():1200V(1.2kV)电流 - 平均整流 (Io):10A电压 - 在 If 时为正向 (Vf)():2.94V @ 10A速度:快速恢复 = 200mA(Io)反向恢复时间(trr):40ns电流 - 在 Vr 时反向漏电:60µA @ 1200V电容@ Vr, F:-安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2供应商设备封装:TO-220AC包装:管件 dzsc/18/8407/18840708.jpgdzsc/18/8407/18840708.jpgdzsc/18/8407/18840708.jpg"