价 格: | 面议 | |
型号/规格: | KSE13009F,NPN,三极管,TO-220F,400V,12A | |
品牌/商标: | FAIRCHILD(飞兆) | |
封装形式: | TO-220F | |
环保类别: | 普通型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 1000/ 盒 | |
极性: | NPN型 |
产品型号:KSE13009F 高压开关模式的应用程序
.高速开关
.适用于开关稳压器和电机控制
封装:TO-220f
极性:NPN
集电极-基极电压VCBO(V):700
集电极-发射极电压VCEO(V):400
发射极-基极电压VEBO(V):9
集电极电流 IC(A):12
功率PC(W):50
特征频率fT(MHZ):4
放大倍数hFE:6-30 8-40
集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.6
结温Tj(℃)150
存储温度Tstg(℃): -65 ~150
描述:400V 12A NPN硅晶体管
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产品型号:STD3NK80Z-1 开关应用 极高dv/dt能力 100%的雪崩测试 栅极电荷最小化 非常低的固有电容 制造业重复性非常好 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):70 输入电容Ciss(PF):485 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):2.1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170 导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ. 上升时间Tr(ns):27 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ. 下降时间Tf(ns):40 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:800V,3.8Ω,2.5A,IPAK N-通道带齐纳二极管保护SuperMES功率MOSFET