价 格: | 0.07 | |
是否提供加工定制: | 是 | |
品牌: | 长电 | |
型号: | BC848 | |
应用范围: | 达林顿 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 30(V) | |
集电极允许电流ICM: | 0.1(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 0.225(W) | |
截止频率fT: | 100(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
BC848 电 特 性 - 参 数
名称: BC848
材料: Si
结构: npn
耗散功率 (Pc): 225mW
集电极 -- 基极击穿电压 (Ucb): 30V
集电极 -- 发射极击穿电压 (Uce): 30V
发射极 -- 基极击穿电压 (Ueb): 6V
集电极电流 (Ic max): 100mA
结温BC848(Tj): 150?C
特征频率 (ft): 100MHz
集电极电容 (Cc), Pf: 5
直流电流增益 (hFE), min/max: 110MIN
印记 1J 1K 1L
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"MMBT2222A 电 特 性 - 参 数名称: MMBT2222A材料: Si结构: npn耗散功率 (Pc): 250mW集电极 -- 基极击穿电压 (Ucb): 75V集电极 -- 发射极击穿电压 (Uce): 40V发射极 -- 基极击穿电压 (Ueb): 6V集电极电流 (Ic max): 0.6A结温MMBT2222A(Tj): 125?C特征频率 (ft): 300MHz集电极电容 (Cc), Pf: 10直流电流增益 (hFE), min/max: 100MIN印记 1P “长晶”-让我们安全放心!原厂成就稳定! www.changjing2008.com
SS8550 电 特 性 - 参 数名称: SS8550材料: Si结构: pnp耗散功率 (Pc): 0.3W集电极 -- 基极击穿电压 (Ucb): 40V集电极 -- 发射极击穿电压 (Uce): 25V发射极 -- 基极击穿电压 (Ueb): -集电极电流 (Ic max): 1.5A结温SS8550(Tj): 150?C特征频率 (ft): 100MHz集电极电容 (Cc), Pf: -直流电流增益 (hFE), min/max: 120/400印记 Y2“长晶”-让我们安全放心!原厂成就稳定! www.changjing2008.com批发说明