价 格: | 0.32 | |
是否提供加工定制: | 是 | |
品牌: | 长电 | |
型号: | 2SC2383 | |
应用范围: | 达林顿 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 160(V) | |
集电极允许电流ICM: | 1(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 0.9(W) | |
截止频率fT: | 20(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
名称: 2SC2383
材料: Si
结构: npn
耗散功率 (Pc): 900mW
集电极 -- 基极击穿电压 (Ucb): 160V
集电极 -- 发射极击穿电压 (Uce): 160V
发射极 -- 基极击穿电压 (Ueb): 6V
集电极电流 (Ic max): 1A
结温2SC2383(Tj): 150?C
特征频率 (ft): 20MHz
集电极电容 (Cc), Pf: 20
直流电流增益 (hFE), min/max: 60/320
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2SC2001 电 特 性 - 参 数名称: 2SC2001材料: Si结构: npn耗散功率 (Pc): 600mW集电极 -- 基极击穿电压 (Ucb): 30V集电极 -- 发射极击穿电压 (Uce): 25V发射极 -- 基极击穿电压 (Ueb): 5V集电极电流 (Ic max): 700mA结温2SC2001(Tj): 150?C特征频率 (ft): 50MHz集电极电容 (Cc), Pf: 13直流电流增益 (hFE), min/max: 90/400 “长晶”-让我们安全放心!原厂成就稳定! www.changjing2008.com "
2SD1766 电 特 性 - 参 数名称: 2SD1766材料: Si结构: npn耗散功率 (Pc): 为0.5W集电极 -- 基极击穿电压 (Ucb): 40V集电极 -- 发射极击穿电压 (Uce): -32V发射极 -- 基极击穿电压 (Ueb): -5V集电极电流 (Ic max): 2A结温2SD1766(Tj): 150?C直流电流增益 (hFE), min/max: 82MIN印记 DBP DBQ DBR “长晶”-让我们安全放心!原厂成就稳定! www.changjing2008.com