供应MOS管
| 价 格： | 1.25 | |
| 型号/规格： | 8N60 | |
| 品牌/商标： | 信安 | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | 大功率 |
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写FET）简称场效应管。一般晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称其为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108-109Ω）噪声小，功率低，动态范围大，易于集成，没有二次击穿现象，安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管的作用
1场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3场效应管可以用作可变电阻
4场效应管可以用作电子开关。
场效应管按结构可分为结型场效应管和絶缘栅型场效应管两类
TSF8N60M-cmv
- 品牌/商标
MHCHXM
- 封装形式
直插型
- 功率特性
大功率
- 频率特性
高频
|
产品类型 |
场效应管 |
品牌/商标 |
Truesemi |
|
型号/规格 |
TSF8N60M-cmv |
结构 |
点接触型 |
|
材料 |
硅(Si) |
封装形式 |
直插型 |
|
封装材料 |
塑料封装 |
功率特性 |
大功率 |
|
频率特性 |
高频 |
发光颜色 |
电压控制 |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 黄小姐
- 电话：0755-82731323
- 传真：0755-29125863
- 手机：13510544421/13826538639
- QQ ：
供应MOS管
信息内容：制造商零件编号: 2N60 材料: Ge 晶体管极性: pnp 耗散功率 (Pc): 180mW 集电极--基极击穿电压 (Ucb): 25V 集电极--发射极击穿电压 (Uce): 发射极--基极击穿电压 (Ueb): 10V 集电极电流 (Ic): 200mA 工作温度 (Tj): 85°C 工作频率 (ft): 600KHz 输出电容 (Cc), Pf: 80 直流电流增益 (hfe): 70T 电荷编号= 2；内径= 480伏电压= 10；25 - 20 - 3 - 2数控资历组别数控qgd漏（苗）15 - 9数控技术（上）导通延迟时间内径= 300；路= 150？；- 10 -纳秒上升时间= 24章开启罗？20纳秒，运输署（关闭）关断延迟时间60纳秒的关断时间20纳秒激光器内部漏电感测量从标签中心- 3.5 -氨基模激光器内部漏电感的测量从排水导致中心模具- 4.5铵
