供应肖特基二极管SB10100 黄生 13826538639
| 价 格： | 0.70 | |
| 型号/规格： | SB10100 | |
| 品牌/商标： | PANJIT（强茂） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 高频 |
肖特基二极管原理
肖特基二极管是贵金属（金 银 铝 铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属一半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断的从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向从B一A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A一B的漂移运动，从而消弱由于扩散运动形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区之后，电场引起的电子的漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成砷作掺杂剂的N一外延层。阳极（阻挡层）金属材料是钼。二氧化硅用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H一层要高100％倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减少阴极的接触电阻。通过调整结构的参数，可在基片于阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正，负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压一E时，势垒宽度就增加。
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供应肖特基二极管SB1040 黄生 13826538639
信息内容：肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金 银 铝 铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属一半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断的从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向从B一A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A一B的漂移运动，从而消弱由于扩散运动形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区之后，电场引起的电子的漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
供应肖特基二极管SB2045 黄生13826538639
信息内容：光电藕合器的工作原理 在光电内部，由于发光管和受光器之间的耦合电容很小（2pF以内）所以共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响很小，因而共模抑制比很高。输出特性的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。当IF>0时，在一定的IF作用下，所对应的IC基本上与VCE无关。IC与IF之间的变化成线性关系，用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与普通晶体三极管输出特性相似。 光电耦合器可作为线性耦合器使用。在发光二极管上提供一个偏置电流，再把信号电压通过电阻耦合到发光二极管上，这样光电晶体管接收到的是在偏置电流上增、减变化的光信号，其输出电流将随输入的信号电压作线性变化。光电耦合器也可工作于开关状态，传输脉冲信号。在传输脉冲信号时，输入信号和输出信号之间存在一定的延迟时间，不同结构的光电耦合器输入、输出延迟时间相差很大。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成砷作掺杂剂的N一外延层。阳极（阻挡层）金属材料是钼。二氧化硅用...
