SFI贴片压敏电阻SFI0603-240E2R5NP-LF
SFI的突波吸收器、瞬时电压抑制器能够藉由限制突波电压及吸收能量而可靠的保护电路系统免于过激电压的侵害,它们通常被用于保护半导体,以确保电磁兼容并且抑制由静电放电所引起的瞬时性冲击;换句话说,它们有更大的突波电流及突波能量处置能力,同时也能够削减电磁干扰和射频干扰,因此使用SFI的突波吸收器、瞬时电压抑制器是一个安全、低成本的保护方法。
产品特性:
◎ 整系列的产品从0402到3220系列
◎工作电压从2.5 to 300 VRMS; 3.3 to 385 Vdc
◎高耐量处理能力
◎无极性的抑制电压能力及高能量
◎快速的反应速度
◎适合静电保护
◎低电容设计(2.5pf)以提供更快速的传输能力
◎矩阵设计
◎低漏电流设计
◎的焊锡性
SFI0402-050E101NP-LF SFI0402-050E560NP-LF SFI0402-050E330NP-LF
SFI0402-050E220NP-LF SFI0402-050E100NP-LF SFI0402-050E050PP-LF
SFI0402-120E050PP-LF SFI0402-120E100NP-LF SFI0402-120E220NP-LF
SFI0402-120E330NP-LF SFI0402-120E560NP-LF SFI0402-120E101NP-LF
SFI0402-240E2R5PP-LF SFI0402-240E0R8PP-LF SFI0402-060EOR20P-LF低容0.2 pF
SFI0402-240E0R05P-LF低容0.05 pF
SFI0402ML080C-LF SFI0402ML120C-LF SFI0402ML150C-LF
SFI0402ML180C-LF SFI0402ML240C-LF
0603规格
SFI0603-050E050PP-LF SFI0603-050E100NP-LF SFI0603-050E220NP-LF
SFI0603-050E330NP-LF SFI0603-050E560NP-LF SFI0603-050E101NP-LF
SFI0603-120E101NP-LF SFI0603-120E560NP-LF SFI0603-120E330NP-LF
SFI0603-120E220NP-LF SFI0603-120E100NP-LF SFI0603-120E050PP-LF
SFI0603-240E2R5NP-LF SFI0603-240E0R8PP-LF SFI0603-060E0R20P-LF低容0.2 pF
SFI0603-240E0RO05P-LF低容0.05 pF
SFI0603ML080C-LF SFI0603ML120C-LF SFI0603ML180C-LF
SFI0603ML240C-LF SFI0603ML270C-LF SFI0603ML390C-LF
SFI0603ML470C-LF
SFI 的突波吸收器、瞬时电压抑制器能够藉由限制突波电压及吸收能量而可靠的保护电路系统免于过激电压的侵害,它们通常被用于保护半导体,以确保电磁兼容并且抑制由静电放电所引起的瞬时性冲击;换句话说,它们有更大的突波电流及突波能量处置能力,同时也能够削减电磁干扰和射频干扰,因此使用 SFI 的突波吸收器、瞬时电压抑制器是一个安全、低成本的保护方法。
SFI 的突波吸收器、瞬时电压抑制器能够藉由限制突波电压及吸收能量而可靠的保护电路系统免于过激电压的侵害,它们通常被用于保护半导体,以确保电磁兼容并且抑制由静电放电所引起的瞬时性冲击;换句话说,它们有更大的突波电流及突波能量处置能力,同时也能够削减电磁干扰和射频干扰,因此使用 SFI 的突波吸收器、瞬时电压抑制器是一个安全、低成本的保护方法。SFI贴片压敏电阻SFI0603-240E2R5NP-LFSFI的突波吸收器、瞬时电压抑制器能够藉由限制突波电压及吸收能量而可靠的保护电路系统免于过激电压的侵害,它们通常被用于保护半导体,以确保电磁兼容并且抑制由静电放电所引起的瞬时性冲击;换句话说,它们有更大的突波电流及突波能量处置能力,同时也能够削减电磁干扰和射频干扰,因此使用SFI的突波吸收器、瞬时电压抑制器是一个安全、低成本的保护方法。 产品特性:◎ 整系列的产品从0402到3220系列◎工作电压从2.5 to 300 VRMS; 3.3 to 385 Vdc◎高耐量处理能力◎无极性的抑制电压能力及高能量◎快速的反应速度◎适合静电保护◎低电容设计(2.5pf)以提供更快速的传输能力◎矩阵设计◎低漏电流设计◎的焊锡性SFI0402-050E101NP-LF SFI0402-050E560NP-LF S...