40A双向可控硅BTB41-800B
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：HAOHAI浩海 | 型号：BTB41-800B | 控制方式：双向 |
| 极数：- | 封装材料：- | 封装外形：- |
| 关断速度：- | 额定正向平均电流：-（A） | 控制极触发电流：-（mA） |
| 稳定工作电流：-（A） | 反向重复峰值电压：-（V） |
| ?产品类别：40A四象限非绝缘型双向可控硅 |
| ?工业型号：BTB41-800B |
| ?封装形式：TOP3（塑封） |
| ?电流/IT(RMS)：≥40 A |
| ?电压/VDRM：≥800V |
| ?触发电流/IGT： |
| IGTⅠ(T2+G+)：≤50 mA（象限） |
| IGTⅡ(T2+G-)：≤50 mA（第二象限） |
| IGTⅢ(T2-G-)：≤50 mA（第三象限） |
| IGTⅣ(T2-G+)：≤100 mA（第四象限） |
| ?触发电压/VGT：＜1.3 V |
| ?门极散耗功率：1 W |
| ?工作温度/Tj：-40~+110°C(储存温度-40~+150℃) |
| ?器件品牌：ST |
| ?产品说明：也可提供性能/参数相同之代替品 |
| ?包装规格：袋装，盒装，每盒120 Pcs |
| ?库存状况：少量现货，接受订货。 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 吴菊华
- 电话：755-27832499
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25A双向可控硅BTB24-600BW
信息内容：品牌：HAOHAI浩海型号：BTB24-600BW控制方式：双向极数：-封装材料：-封装外形：-关断速度：-额定正向平均电流：-（A） 控制极触发电流：-（mA） 稳定工作电流：-（A） 反向重复峰值电压：-（V） ?产品类别：25A三象限非绝缘型双向可控硅?工业型号：BTB24-600BW?封装形式：TO-220AB?电流/IT(RMS)：≥25 A ?电压/VDRM：≥600V?触发电流/IGT：IGTⅠ(T2+G+)：≤50 mA（象限）IGTⅡ(T2+G-)：≤50 mA（第二象限）IGTⅢ(T2-G-)：≤50 mA（第三象限）IGTⅣ(T2-G+)：?触发电压/VGT：＜1.3 V?门极散耗功率：1 W?工作温度/Tj：-40~+110°C(储存温度-40~+150℃)?器件品牌：ST、KKG（同时供应）?产品说明：提供性能、参数相同之代替品?包装规格：袋装，盒装，每盒250 Pcs?库存状况：少量现货，接受订货。
12A全塑封双向可控硅BT138X-600E
信息内容：品牌：HAOHAI浩海型号：BT138X-600E(12A,600V)控制方式：双向极数：-封装材料：-封装外形：-关断速度：-额定正向平均电流：-（A） 控制极触发电流：-（mA） 稳定工作电流：-（A） 反向重复峰值电压：-（V） ?产品类别：12A四象限全塑封双向可控硅?工业型号：BT138X-600E?封装形式：TO-220FP（全塑封）SOT186A?电流/IT(RMS)：≥12 A ?电压/VDRM：≥600V?触发电流/IGT：IGTⅠ(T2+G+)：2.5～10 mA（象限）IGTⅡ(T2+G-)：4.0～10 mA（第二象限）IGTⅢ(T2-G-)：5.0～10 mA（第三象限）IGTⅣ(T2-G+)：11～25 mA（第四象限）?触发电压/VGT：0.7～1.5V?门极散耗功率：0.1W?工作温度/Tj：-40~+110°C(储存温度-40~+150℃)?器件品牌：Philips?包装规格：管装，每管50，每盒1K，每箱6K?库存状况：现货供应（接受订货/可长期供应）
