10A双向可控硅BTA10-600TW
| 价 格： | 面议 |
| 型号：BTA10-600TW(三象限) | 电流：10（A） | 电压：600（V） |
| 触发电流：5 mA（A） | 结温：110（℃） | 封装形式：TO-220AB |
| 控制方式：双向 |
| ?产品类别：10A 三象限 绝缘型 双向可控硅 |
| ?工业型号：BTA10-600TW |
| ?封装形式：TO-220AB |
| ?电流/IT(RMS)：≥10 A |
| ?电压/VDRM：≥600V |
| ?触发电流/IGT： |
| IGTⅠ(T2+G+)：≤5 mA（象限） |
| IGTⅡ(T2+G-)：≤5 mA（第二象限） |
| IGTⅢ(T2-G-)：≤5 mA（第三象限） |
| IGTⅣ(T2-G+)： |
| ?触发电压/VGT：＜1.3 V |
| ?门极散耗功率：1 W |
| ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) |
| ?器件品牌：ST、KKG （同时供应） |
| ?包装规格：袋装，盒装，每盒250 Pcs |
| ?库存状况：少量现货，接受订货。 |
- 所属城市：广东 深圳
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可控硅 高压品种
信息内容：品牌：HAOHAI浩海型号：BTA41-1600B控制方式：双向极数：三极封装材料：塑料封装封装外形：其他关断速度：其他额定正向平均电流：-（A） 控制极触发电流：-（mA） 稳定工作电流：-（A） 反向重复峰值电压：-（V） 以下型号 全新 常备现货供应美国ON原装进口芯片 自主品牌封装种类器件型号封装形式电流(A)电压(V)IGT(mA)说明SCRsBT169SOT-230.8400≤0.2RoHSSCRsBT169SOT-890.8400≤0.2RoHSSCRsMCR100-6SOT-230.8400≤0.2RoHSSCRsMCR100-8SOT-230.8600≤0.2RoHSSCRsMCR22-8TO-921.5600≤0.2RoHSSCRsC106DTO-1264400≤0.2RoHSSCRsC106MTO-1264600≤0.2RoHSSCRsC106DSTO-2524400≤0.2RoHSSCRsMCR8SNTO-22081000≤0.2特制高压SCRsMCR8SNTO-22081200≤0.2特制高压SCRsMCR25NTO-22025800≤32特制高压SCRsMCR25NTO-220251000≤32特制高压SCRsBTA151-600RTO-25112600≤5RoHSSCRsBT151S-600RTO-25212600≤15RoHSSCRsBT151S-650RTO-25212650≤15RoHSSCRsBCA60-1600TOP3301600≤50特制高压TRIACsBT136S-600ETO-2524600≤10RoHSTRIACsBT137S-600ETO-2528600≤10RoHSTRIACsBT138X-600FTO-220F12600≤25全塑封TRIACsBTA16-1600BTO-220161600&le...
16A双向可控硅BTB16-800SW
信息内容：品牌：HAOHAI浩海型号：BTB16-800SW控制方式：双向极数：-封装材料：-封装外形：-关断速度：-额定正向平均电流：-（A） 控制极触发电流：-（mA） 稳定工作电流：-（A） 反向重复峰值电压：-（V） ?产品类别：16A三象限非绝缘型双向可控硅?工业型号：BTB16-800SW?封装形式：TO-220AB?电流/IT(RMS)：≥16 A ?电压/VDRM：≥800V?触发电流/IGT：IGTⅠ(T2+G+)：≤10 mA（象限）IGTⅡ(T2+G-)：≤10 mA（第二象限）IGTⅢ(T2-G-)：≤10 mA（第三象限）IGTⅣ(T2-G+)：?触发电压/VGT：＜1.3 V?门极散耗功率：1 W?工作温度/Tj：-40~+110°C(储存温度-40~+150℃)?器件品牌：ST、KKG（同时供应）?包装规格：袋装，盒装，每盒250 Pcs?库存状况：少量现货，接受订货。
