是否提供加工定制:否 | 品牌:华晶 | 型号:3DD13002B1 |
应用范围:功率 | 材料:硅(Si) | 极性:NPN型 |
集电极允许电流ICM:0.5(A) | 集电极耗散功率PCM:0.7(W) | 截止频率fT:5(MHz) |
结构:平面型 | 封装形式:直插型 | 封装材料:树脂封装 |
1 产品概述:
3DD13002B1是硅NPN型功率开关晶体管,推荐功率10-13W,该产品采用平面工艺,硅单晶重掺杂衬底材料,分压分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关速
度和可靠性。
产品封装形式:TO-92 ,符合RoHS指令要求。
2 产品特点:
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
3 主要用途:
主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率
开关电路,是该类电子产品的核心部件。
1 产品概述:3DD13012AN是硅NPN型功率开关晶体管,推荐功率100-120W,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关特性和可靠性。产品封装形式:TO-3P(N),符合RoHS指令要求。2 产品特点:● 开关损耗低● 反向漏电流小● 高温特性好● 合适的开关速度● 可靠性高3 主要用途:主要用于电子节能灯、计算机电源等功率开关电路,是该类电子产品的核心部件。
是否提供加工定制:否品牌:华晶型号:3DD13005C9D应用范围:功率材料:硅(Si)极性:NPN型击穿电压VCBO:700(V) 集电极允许电流ICM:4(A) 集电极耗散功率PCM:75(W) 截止频率fT:5(MHz) 结构:平面型封装形式:直插型封装材料:树脂封装1 产品概述:3DD13005C9D是硅NPN型功率开关晶体管,推荐功率36-45W,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。产品封装形式:TO-220F,符合RoHS指令要求。2 产品特点:● 开关损耗低● 反向漏电流小● 高温特性好● 合适的开关速度● 可靠性高3 主要用途:主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及计算机电源等功率开关电路,是该类电子产品的核心部件。